【TI:プロセッサ】 AM335x DDR I/Fの未使用端子の処理方法
DDR I/Fの未使用端子の処理方法は、下記の通りです。 DDR_DQS0/1:1KΩ抵抗を介しVDDS_DDRに接続 DDR_DQSn0/1:1KΩ抵抗を介しグランドに接続 DDR_VTP:50Ω抵抗を介しグランドに接続 VDDS_DDR:システム上可能な任意の1.8V電源に接続 VD... 詳細表示
性能、価格、インターフェイスが異なります。 性能比較はこちらのページを参照してください。 対応インターフェースは下記の通りです。 TMDSEMU560V2STM-UE:USB, Ethernet *外部電源が必要 TMDSEMU560V2STM-U:USB TMDSEMU2... 詳細表示
【TI:プロセッサ】 AM335x デバイス寿命の信頼性データについて
①Datasheet:Table 5-1. Reliability Data のLIFETIME(POH)は、 推奨動作範囲内(–40°C to 105°C)で常に使用した場合の耐久時間(LIFETIME)です。 ここで示している時間は、電源供給時間の累計であり、連続駆動時間ではありません。 また... 詳細表示
【TI:ロジック】 SN74CB3T16210:未使用時の制御ピン及びI/Oピンの対処方法
未使用の制御ピン(1OEまたは2OE)はVccにプルアップしてください。 上記制御ピンに繋がるI/OピンはGNDに接続となりますが、 高周波のノイズや信号が飛び込む可能性のある環境下では、 I/Oピンに50Ωインピーダンスを追加しGND接続する方法を推奨します。 詳細表示
CMOS回路では、電力の大部分がCMOSゲートの規制コンデンサ内の電荷を移動させる為に消費される為、動的消費電流は支配的となります。 この動的消費電流は、ICの内部容量と負荷容量の充放電電流によって決まります。 複数のゲートからなるCMOS回路の簡略化されたモデルは電源レール間で充電/放電される1つの大き... 詳細表示
【TI:その他】 熱抵抗 RθJA、RθJCと熱特性パラメータΨJTについて
デバイス破壊からの保護およびデバイスの正常動作を保証するために、 ジャンクション温度(PN接合部の温度)の管理が非常に重要になります。 マイコンやプロセッサなどは温度センサーを内蔵し、ジャンクション温度を計測できる製品もありますが、 ロジック製品などは熱抵抗や熱特性パラメータを用いてジャ... 詳細表示
電源、GNDラインのリップルにより、しきい値電圧が変動して出力電圧が変わることがあります。 また、入力電圧がゆっくり変化すると電源からグランドへ大量の貫通電流が発生します。 貫通電流によるサージ電圧(V = -L×(di / dt))が発生し、グランド基準を乱すグリッジが生... 詳細表示
【TI:プロセッサ】AM64x /AM243xの回路図チェック:推奨事項 2.13 CPSW Ethernet
Index <前の手順へ 2.13 CPSW Ethernet - PHYの初期設定は正しく行いましたか? ほとんどのPHYは、リセット時に「出力」を「入力」に設定し、 デバイスがリセットから解放されたときに これらのI/Oの設定情報をキャプチャします。 従っ... 詳細表示
【TI: プロセッサ】 AM64x /AM243xの回路図チェック:推奨事項 2.8 DDR(High-Speed Interface Layout Guidelines:2...
Index Index(DDR) Index(HighSpeed) <前の手順へ 2 General High-Speed Signal Routing 2.1 PCB Fiber Weave Mitigation 差動信号を一般的な... 詳細表示
【TI: プロセッサ】 AM64x /AM243xの回路図チェック:推奨事項 2.8 DDR(1.3 PCB Stack-Up)
Index Index(DDR) <前の手順へ 1.3 PCB Stack-Up DDRインターフェイスをルーティングするための最小スタックアップは、 6層スタックアップです。 ただし、これは、大きな立ち入り禁止エリアのある配線室のあるボードで... 詳細表示
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