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  • 公開日時 : 2020/07/15 14:52
  • 更新日時 : 2021/01/06 15:49
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【TI︓電源IC 】 TPS43060,TPS43061の外部MOSFET選定

TPS43060,TPS43061の外部MOSFET選定の注意点を教えてください。
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回答

スイッチング特性が速いMOSFET(tr=数ns程度)をLowサイド用いると、
軽負荷時に大きなアンダーシュートがスイッチング・ノードに発生し、
BOOT端子のSW端子に対する絶対最大定格の8Vを超えてしまう可能性があります。
 
対策を記します。
・LowサイドMOSFETはスイッチング特性の遅い(tr=20ns程度)MOSFETとする
・LDRV信号に直列抵抗(4.7~10Ω程度)を挿入し、LowサイドMOSFETのスイッチング速度を低下させる
・外部ショットキー・ダイオードに直列抵抗(4.7Ω程度)を挿入し、RC時定数を増強する
・HighサイドMOSFETにRCスナバを挿入し、スイッチング信号のリンギングを低減させる
 
 
 
データシートの「Gate Drivers」項に詳細が記載されていますので、確認してください。

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