• No : 9470
  • 公開日時 : 2021/12/15 10:14
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【NXP：RF】 GaN HEMT FETの電源印可について

GaN HEMT FETの電源印加の順番はありますか。
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回答

NXPのGaN HEMT FETは、デプレッション型FETになっておりますので、
ドレイン電圧だけを加えると、大電流が流れFET破損になります。
 
電源投入時は、ゲート電圧印加、次にドレイン電圧印加となり、
電源遮断時は、ドレイン電圧遮断、次にゲート電圧遮断となります。