ここでは、従来のフラッシュメモリと、

FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)の差異について述べます。
フラッシュメモリは、あくまで書き換えが可能なROM(Read Only Memory)です。
そのため、内容を書き換えるためには、

高電圧をかけて消去と書き込みを別途行う必要があります。
高電圧とは、10V～25Vの電圧で、電源の約3Vからこの電圧を発生させるためには、

内部でチャージポンプ回路などを使って昇圧をする必要があります。
そのため、書き込み時には時間と電力消費が必須でした。
その代わり、フラッシュメモリはRAMとは違って電源が供給されなくても、

内容が保持されます。
FRAMは、独自の原理で記憶動作をすることができ、

RAMと同様に電源電圧だけで自由に読み書きができるデバイスです。

さらに、電源が供給されなくても、内容が保持されます。
このように、FRAMはマイコンのメモリとしては理想的な特性を持っていて、

消費電力を下げるために電源を切ることも可能です。
MSP430のいくつかのデバイスは、コアとRAMの電源を切ってしまう、

LPM3.5とLPM4.5のモードを持っています。
しかし従来のフラッシュメモリでは、RAMの内容を保持するのが困難なため、

LPMx.5モードは大変使いにくいものでした。
その点、FRAMは不揮発のRAMとして使えるため、容易にLPMx.5が使えるようになりました。
唯一の欠点はアクセス速度で、現在のFRAMは8MHzまでのアクセスが可能です。
そのため、MSPのクロックは8MHz以下で使用することをお勧めします。

 

	フラッシュ	FRAM	RAM
読出し速度	20μs	125μs	20μs
書込み速度	80000μs	125μs	20μs
書込み電圧	約20V	1.8V	1.8V
書込み電流	3mA	<200μA	<200μA
消去電流	6mA	-	-
消去単位	ブロック	バイト	バイト
電源オフ時	データ保持	データ保持	データ消滅