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2.12 POD Interconnect

DDR4以前は、出力バッファはプッシュプルCMOSバッファでした。
LOWのときは電流をシンクし、HIGHのときはソース電流をシンクしていました。

その後、最適な電力伝達と信号の完全性を得るために、

中間レベルのThevenin抵抗に終端されました。

偶然にも、この結果、バッファがHIGHまたはLOWのいずれかで

イネーブルにされるたびに、電流が流れ、電力が消費されます。
疑似オープンドレイン(POD)は、

負荷ODTでの終端がVDDQにのみ接続される接続タイプです。
POD接続は、LOWのときにのみ電力を消費するため、電力が削減されます。
DDR4では、PHY(読み取り用)とSDRAM(書き込み用)の両方が、

これらの終端をすべてのデータ

グループピンの内部でVDDQに提供します。
 

POD端子を用いた接続では、データグループの信号がVSSからVDDQまであり、

中間レベルの基準電圧でサンプリングしていた従来のDDR接続と比較して、

信号の見え方が異なります。
ハイレベルはVDDQのままですが、ローレベルはドライブインピーダンスと

ODT抵抗に基づいて計算されるようになりました。
両方とも50Ωに設定されている場合、ローレベル電圧はVDDQ/2になります。
その場合、最適なパフォーマンスを得るには、これらの電圧の中間にある
サンプリング電圧、つまり3/4*VDDQが必要です。

 

 

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