【TI:モーター・ドライバ】 DRV8835 消費電力とジャンクション温度の考え方
)) IRMS:モータ電流(平均値) RDS(on):内部FETオン抵抗 RDS(on)に関しては8ページのFigure 4. RDS(ON)の温度特性で、本来はVcc(電源)、VM(モータ電源) の条件で求めますが、デバイスの合計の内部FETオン抵抗として約1Ωとして見積もって 計算することが出来ます。(High/Low 詳細表示
【NXP:RF】 RFアンプの入出力特性測定評価の注意点:測定器
Generator、Power Meter、Spectrum Analyzer、Network Analyzer等)は、電源投入後30分以上たってから、CalibrationやPower Level合わせを行ってください。 測定器の周囲温度は23℃にする事で、精度良く測定できます。 詳細表示
【NXP:RF】 RFアンプの入出力特性測定評価の注意点:ドレイン電圧
、ドレイン端子の電圧を確認してください。 必要な場合は電圧を補正します。 また、使用する電源のセンス機能を使うのも有効です。 詳細表示
【NXP:LPC】 LPC54018のUSB1_VBUSは5 Vトレラントですか。
LPC540xxとLPC546xxシリーズのUSB1_VBUSは常に5 Vトレラントです。 以下のデータシートの記載内容は、LPC540xxとLPC546xxのUSB1_AVDD3V3とUSB1_AVDDTX3V3に電源が供給されていない場合でもUSB1_VBUSが5 Vトレラントであることを示すために記載され 詳細表示
【NXP:Analog】 PTN3460IのI2Cアクセスについて
PTN3460I内部レジスタへのアクセスは、RST_N解除後(最大90ms経過)HPDがHighになったあとで実施してください。 これは、PTN3460Iが電源投入後に初期化(内部ハードウェアおよびファームウェアコードのチェックサムチェック)を実行し、最大90ms経過後にHPDピンをHighに駆動するためです 詳細表示
処理方法は二通りあります。 ①未使用端子はVCMの範囲以内で、IN+とIN-のそれぞれを明確に違うレベルに設定してください。 VCMが電源のレールまで許されているならば、一方の入力をVCCへ別の片方をグランドへ接続してください。 出力はオープンのままにしてください。 ②VCMの範囲がグランド 詳細表示
【TI:プロセッサ】 AM64x /AM243xの回路図チェック:推奨事項 2.8 DDR(2.3 DDR4 Interface Schematics)
。 このセクションでは、SDRAMがセルフリフレッシュ状態に保たれ、 プロセッサの電源がオフになっている場合など、 低電力動作をサポートする実装の推奨事項については説明しません。 また、DDRなしの実装についても説明していません。 これらのオプションは現在調査中であり、このドキュメントの将来の バージョンで 詳細表示
【NXP:i.MX】 i.MX8MPのVDD_SOCのモードについて
ます。 例えば、GPUやVPUがNominal modeの設定では600MHzで使用できます。 Overdrive modeの設定では800MHzで使用できます。 電源電圧の値は、IMX8M Plus Data Sheetから Table 12. Operating ranges の、Power 詳細表示
【NXP:i.MX】 i.MX8MPlusのeCSPI1のシリアルNORフラッシュ接続について
同時使用において、既知の制限は特にありません。 また挙げていただいたペリフェラルの電源レール(Power group)はそれぞれ下記の通りで、独立してます。 eCSPI1:NVCC_ECSPI_HDMI FlexSPI :NVCC_NAND eMMC :NVCC_SD1/2 詳細表示
【TI:プロセッサ】 AM64x /AM243xの回路図チェック:推奨事項 2.8 DDR(3.1 LPDDR4 Introduction)
レート4 (LPDDR4)によって管理されるSDRAMデバイス仕様です。 この規格は、低電圧I / O電源レールの実装、コマンド/アドレスバスでのODTの採用、 コマンド/アドレスバス幅の縮小などの機能により、電力の削減と シグナルインテグリティの向上を目指しています。 他のDDRタイプとは異なり、LPDDR 詳細表示
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