【NXP：RF】 Junction-Case間の熱抵抗

RθJCのケースはフランジ金属部分の取り付け面になります。 Application note(AN1955:Rev. 1, 4/2014) Figure 1. Case Temperature Measurement を参照ください。 詳細表示

【NXP：RF】 小電力のLDMOSはありますか

現状NXPで提供している製品は、1W出力までとなってます。 それ以下の出力のデバイスを希望される場合は、GaAsやSiGeのデバイスで供給しています。 詳細表示

【NXP：RF】 動作周波数について

データシートに記載されている周波数範囲内での使用を推奨します。 NXPでは、指定している周波数範囲外では動作保証していません。 詳細表示

【NXP：RF】 GaN製品について

現状ですと、2GHzから4GHzの基地局向け及び2.45GHzの工業用向けに販売しています。 NXP独自のGaN Fabを所有しています。 詳細表示

【NXP：RF】 Webにない評価ボードについて

一部のRF製品の評価ボードは受注生産になります。 担当営業に相談してください。 詳細表示

【NXP：RF】 非対称出力のトランジスタの見分け方について

通常、Webサイト及びデータシートの特徴のところにAsymmetrical Doherty RF power LDMOS Transistorと明記してます。 詳細表示

【NXP：RF】 Doherty Ampについて

ClassAB ampとClassC ampを組み合わせた電力合成の回路になります。 ClassC ampのOn/OffによるImpedance modulationにより、ClassAB ampの特性を変化させ、 低いパワーでも高効率が得られる回路方式です。 詳細表示

【NXP：RF】 回路設計用のデバイス情報について

デバイスによりましては、Sパラメータやデバイスモデルを提供しております。 Sパラメータは、Touchstoneフォーマットになっており、 デバイスモデルは、高周波シミュレータのADS用、AWR用で提供しております。 ※デバイスモデルは、他のシミュレーターでは利用頂けませんので注意してくだ... 詳細表示

【NXP：RF】 GaN HEMT FETの電源印可について

NXPのGaN HEMT FETは、デプレッション型FETになっておりますので、 ドレイン電圧だけを加えると、大電流が流れFET破損になります。 電源投入時は、ゲート電圧印加、次にドレイン電圧印加となり、 電源遮断時は、ドレイン電圧遮断、次にゲート電圧遮断となります。 詳細表示

【NXP：RF】 ５G向けデバイスについて

基地局用のSub-6GHz及びMilli-wave(ミリ波)のPA/LNA MMICやPAModuleを多数提供しております。 但し、NDA契約が必要になりますので、担当営業へお問い合わせ下さい。 詳細表示