VCCIOとGNDペアの配置はラティスの各デバイスの製品ページから対象デバイスのピン配置
(Pinout)表のCSVファイルを入手して確認してください。基本的な考え方としてはVCCIOx
(xはバンク番号)から次のVCCIOxの間が一つのペアとお考え下さい。
この間には1本以上のGNDピンがあり、VCCIOxとそのGNDピンの間を電流が流れます。
もしこのワーニングの制限事項を超えて使用した場合、長期的にはエレクトロマイグレーション
を起こす可能性があります。(最終的にはピンの破壊につながります)
各デバイスのデータシートのI/OのDC特性の欄外に以下のように注意事項として記載されています。
For electromigration, the average DC current sourced or sinked by I/O pads between two consecutive VCCIO or GND pad connections, or between the last VCCIO or GND in an I/O bank and the end of an I/O bank, shall not exceed a maximum of n * 8 mA. “n” is the number of I/O pads between the two consecutive bank VCCIO or GND connections or between the last VCCIO and GND in a bank and the end of a bank. I/O Grouping can be found in the Data Sheet Pin Tables, which can also be generated from the Lattice Diamond software.