【TI:プロセッサ】 AM64x /AM243xの回路図チェック:推奨事項 2.9 MMC
Index <前の手順へ 2.9 MMC - MMC0_CLKに反射を抑えるための直列抵抗は入っていますか? 直列抵抗の追加挿入が必要な場合に備えて、MMC0_CLKに0Ωの直列抵抗を (できるだけプロセッサの近くに)入れてください。MMC0_CLK ピンは 詳細表示
【NXP:Analog】 PCA9632のfall timeについて
I2Cの入力信号のRise timeおよびFall timeがデータシート記載より短い場合下記ケースが生じますので注意してください。 非常にまれなケースですが、立ち上がり/立ち下がり時間が非常に速いと、SDA / SCLピンの静電放電(ESD)セルが誤ってトリガーされ、ESDセルが回復するまで、SDA 詳細表示
【TI︓電源IC 】 TPS61099 出力電圧設定用の抵抗値について
データシートにはFBピンのリーク電流(IFB_LKG)に対して100倍以上の電流を、 出力電圧設定用の抵抗(R2)に流すように指示があります。 「For the best accuracy, the current following through R2 should be 100 times 詳細表示
【NXP:DN】 LS1021A RCW, ブートコードの別メモリ対応
。 ただし、以下の制約があります。 ・ピン多重化の関係で、IFC NOR または IFC NAND とQuadSPIの併用はできません。 ・SCRATCHRW1レジスタのブートコードのエントリポイント・アドレスは、メモリマップエリアを指す必要があります。SD/eMMCはメモリマップではないため、ブートコードのみをSD 詳細表示
データシートPage.6の "Figure 6. Total Harmonic distortion + Noise versus Output Power" を確認してください。 この表の条件には±15V、RL= 32Ωが含まれており、ひずみが増える直前のノンクリッピング出力電圧として 約400mWになります... 詳細表示
【TI:アンプ】 XTR110 入力電圧と出力電流の調整方法について
製品としては、XTR110とXTR111の二つについて特長を説明します。 ① XTR110 データシートP.6の"FIGURE 1. Basic Circuit Connection"に記載されているように、 ピン接続により入力電圧に対する出力電流レンジを設定可能です。 また、データシートP.8の以下項目 詳細表示
【TI:マイコン】 MSP430 F2xx/G2xx ADC10モジュールの基準電圧と基準電圧発生回路について
3ピンから供給されます。 【参考】 VR+の基準電圧に、Avccを選択するときは、 ADC10CTL0[REFON] = 0として、 基準電圧発生回路を停止し、消費電力を低減することを推奨します。 【基準電圧発生回路】 基準電圧発生回路の状態は、 ADC10CTL0[REFON 詳細表示
【TI: プロセッサ】 AM64x /AM243xの回路図チェック:推奨事項 2.18 JTAG と EMU
、 およびTMSを除くすべてのピンをフローティングのままにしておくことができます。 TRSTnは、4.7kΩの抵抗を介してグランドにプルダウンする必要があります。 TCKとTMSは、4.7kΩの抵抗を介してVDDSHV_MCUに個別にプルアップする 必要があります。 ただし、初期のプロトタイプデバッグに 詳細表示
【TI:マイコン】 TMS320F2833x, TMS320F2823x GPIOにおける入力信号の入力条件について
GPIOにおける入力信号の入力条件は2通りの方法を指定できます。 GPxQSELn[GPIOn]レジスタにてピン毎に設定します。 1)システムクロック(SYSCLKOUT)周期でサンプリングを行いデータを取り込みます。 (GPxQSELn[GPIOn] = 0)*value after 詳細表示
【TI:プロセッサ】 AM64x /AM243xの回路図チェック:推奨事項 2.8 DDR(2.12 POD Interconnect)
接続タイプです。 POD接続は、LOWのときにのみ電力を消費するため、電力が削減されます。 DDR4では、PHY(読み取り用)とSDRAM(書き込み用)の両方が、 これらの終端をすべてのデータ グループピンの内部でVDDQに提供します。 POD端子を用いた接続では、データグループの信号がVSS 詳細表示
218件中 191 - 200 件を表示