LM317はVOUTとADJ間の電圧をVREF(1.25V)となるように動作します。 従ってADJからの電流(IADJ)を考慮するとVoutは以下になります。 Vout = Vref (1+R2/R1) + IADJ*R2 上記のIADJは非常に小さいため、IADJ*R2は通常「0」... 詳細表示
【TI︓電源IC 】 TPS650861のDDR用のVREF信号
BUCK6が生成するVDDQ出力を抵抗分圧して、VREFを生成する方法があります。 その際、±0.1%や±0.5%誤差の高精度な抵抗が必要になります。 必要に応じて、TPS51206やTPS51200のようなDDRメモリ向け電源ICも検討してください。 なお、TPS650861にはVTT端子... 詳細表示
【TI:電源IC】 LM27762負電圧起動不良対策について
対策として、負電源を先に負荷に供給するか負電源にバイアスされる電圧を抑え込む事になります。 案①)オペアンプの正電源側にロードSWを設けてON/OFF制御させる。 例:入力電圧+3.3V,正出力電圧+3.3V,負出力電圧-3.3Vの場合 基板に3.3V投入->-3.3Vを出力-&g... 詳細表示
【TI:電源IC】 TPS55318/9 Power Good端子について
6.5V以下であれば電気的に問題ありませんが、PGOODはVDD端子が1V以上で有効となります。 プルアップ先の電源がVDDより先に供給される場合、PGOOD端子はOpenとなりますので、 VOUTが設定値でないにも関わらずHighとなります。 PGOOD出力をENとANDを取る等の対策で回避可能ですが... 詳細表示
メーカーに問い合わせたところ、ほぼ40年前にリリースされた製品であり、 タンタルコンデンサで使用するために設計されているため、ESRの詳細なデータはありません。 セラミックコンデンサを使用する際には抵抗を直列に繋いでESRを高くすることができます。 安定性評価の際にはアプリケーションノー... 詳細表示
【TI:その他】 パッケージ Tjunction(ジャンクション温度)の確認方法
ジャンクション温度(Tj)は、使用方法や環境 (PCBの素材や気温)によって一概に規定できませんが、 参考値を算出されたい場合は、以下の資料とデータシートの値で算出できます。 ・Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (spra953) 詳細表示
【TI︓電源IC 】 TPS43060,TPS43061の外部MOSFET選定
スイッチング特性が速いMOSFET(tr=数ns程度)をLowサイド用いると、 軽負荷時に大きなアンダーシュートがスイッチング・ノードに発生し、 BOOT端子のSW端子に対する絶対最大定格の8Vを超えてしまう可能性があります。 対策を記します。 ・LowサイドMOSFETはスイッチ... 詳細表示
【TI:電源IC】 LiFePO4(リン酸鉄リチウムイオン)電池に対応する残量計ICについて
LiFePo4 対応の残量計ICは、以下の8 製品になります。 - bq27750 - bq34110 - bq34z100-G1 - bq4050 - bq40z50-R1 - bq40z50-R2 - bq40z80 - bq78350-R1 アルゴリズムは、Impe... 詳細表示
【TI:電源IC】 スーパーキャパシタを充放電するバックアップ用回路について
TIのリファレンスデザインのPMP9761が仕様に該当するかと思われます。 回路動作としてはMAIN電源からSYS電源に電力を供給しつつTPS63060を介してキャパシタにチャージを行います。 キャパシタへのチャージはダイオードを介してのプリチャージも同時に行います。 MAIN電源が切断されるとキャ... 詳細表示
【TI︓電源IC 】 TLV62130の極めて軽い負荷時の出力電圧
スイッチング波形を観測して、スイッチング波形が出力電圧と同電圧でフラットになっているのであれば、 負荷側から3.6Vが、TLV62130の出力へが回り込んでいる可能性があります。 TLV62130は設定電圧より高い電圧を負荷側から印加すると、スイッチングを停止します。 負荷側の部品を外すか、TLV62130... 詳細表示