CMOS回路では、電力の大部分がCMOSゲートの規制コンデンサ内の電荷を移動させる為に消費される為、動的消費電流は支配的となります。 この動的消費電流は、ICの内部容量と負荷容量の充放電電流によって決まります。 複数のゲートからなるCMOS回路の簡略化されたモデルは電源レール間で充電/放電される1つの大き... 詳細表示
【TI:プロセッサ】 AM64x /AM243xの回路図チェック:推奨事項 2.4 リセット
Index <前の手順へ 2.4リセット - MCU_PORz、MCU_RESETz、RESET_REQzに適切なリセット信号を 生成するリセット回路はありますか? MCU_PORz、MCU_RESETz、RESET_REQzへのリセット信号は、 パルス長... 詳細表示
【TI:プロセッサ】 デバッグ時における電源デバイスの設定方法について
通常はブート後にプログラム上で(C言語にて)電源デバイスを設定する必要があります。 SDKに含まれるブートプログラム(セカンダリブートローダー)では、 AVS(Adaptive Voltage Scaling)およびABB(Adaptive Body Biasing)の設定含め、 電源デ... 詳細表示
【TI:プロセッサ】 AM64x /AM243xの回路図チェック:推奨事項 2.8 DDR(3.6 LPDDR4 Keepout Region)
Index Index(DDR) <前の手順へ 3.6 LPDDR4 Keepout Region LPDDR4回路に使用されるPCBの領域は、他の信号から分離する必要があります。 LPDDR4キープアウト領域はこの目的のために定義されており、 ... 詳細表示
【TI:プロセッサ】 AM335x デバイス寿命の信頼性データについて
①Datasheet:Table 5-1. Reliability Data のLIFETIME(POH)は、 推奨動作範囲内(–40°C to 105°C)で常に使用した場合の耐久時間(LIFETIME)です。 ここで示している時間は、電源供給時間の累計であり、連続駆動時間ではありません。 また... 詳細表示
【TI: プロセッサ】 AM64x /AM243xの回路図チェック:推奨事項 2.2 電源
Index <前の手順へ 2.2 電源 - パワーモデルの出力と設計の他の部分からの見積もりを使用して、 必要なパワーソリューションを決定しましたか? SoC の各レールに必要な電力は、使用するインターフェイスと動作環境に応じて異なります。 電力要件は、電力モデルを... 詳細表示
【TI:その他】 熱抵抗 RθJA、RθJCと熱特性パラメータΨJTについて
デバイス破壊からの保護およびデバイスの正常動作を保証するために、 ジャンクション温度(PN接合部の温度)の管理が非常に重要になります。 マイコンやプロセッサなどは温度センサーを内蔵し、ジャンクション温度を計測できる製品もありますが、 ロジック製品などは熱抵抗や熱特性パラメータを用いてジャ... 詳細表示
性能、価格、インターフェイスが異なります。 性能比較はこちらのページを参照してください。 対応インターフェースは下記の通りです。 TMDSEMU560V2STM-UE:USB, Ethernet *外部電源が必要 TMDSEMU560V2STM-U:USB TMDSEMU2... 詳細表示
入力端子がオープン(端子処理なし)の状態は、 ノイズなど外部の影響をうけ電位が変化しやすい状態となります。 意図しない電位の変動により、デバイスの誤動作や過電流が流れることがあります。 このような誤動作の対策として入力端子は、レベルを固定することが必要となります。 このとき、短絡など大電流による回路破... 詳細表示
【TI:プロセッサ】 AM64x /AM243xの回路図チェック:推奨事項 2.8 DDR(2.3 DDR4 Interface Schematics)
Index Index(DDR) <前の手順へ 2.3 DDR4 Interface Schematics このセクションでは、 シングルランクのx16およびx8 SDRAMデバイスを使用した実装 (トポロジとも呼ばれます)について説明します... 詳細表示
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