【TI：電源IC】 LM34936EVM: ダイオードD4, D5の耐圧

D4は入力側のハイサイドMOSFET（Q1）の耐圧を、 D5は出力側のハイサイドMOSFET（Q2）の耐圧を満足してください。 入力側MOSFETの耐圧は、スパイクを考慮して入力電圧の2倍程度を、 出力側MOSFETの耐圧は、スパイクを考慮して出力電圧の2倍程度を、 目安にしてください... 詳細表示

【TI：電源IC】 TPS22998：VIN ＞ VBIAS時のオン抵抗値について

VINがVBIASを超えた時はデバイス内部のオン抵抗値が上昇する為、 VIN ≦ VBIASの条件で使用する事を推奨します。 参考情報として、 評価ボード：TPS22998EVMで実測したオン抵抗値はVin：5V、VBIAS：3.3V時で6.5mΩです。 TPS22998EVM 詳細表示

【TI：電源IC】 TPS6510x 負電圧出力チャージポンプVO2の出力電圧MAX値の計算式

TPS6510xデータシートの「Typical Applications」セクション内の 「Negative charge pump」の項に記載の以下式で算出可能です。 注）データシートのリビジョンによっては、rDS(on)Q9の右側の括弧閉じの位置に誤りがあり... 詳細表示

【TI：電源IC】 TPS62568：TLV62568APとTLV62568の差異

TLV62568APの方はPower Good出力及び強制PWMモードの機能を持っています。 他に下記スペックと周辺部品定数が異なりますので注意してください。 ・TLV62568AP 　出力電流：1A（過電流制限：2A） 　オン抵抗・・・High side：100mΩ/Low side：60mΩ ... 詳細表示

【TI：電源IC】 TPS6510x リニア・レギュレータVO4を使用しない場合の端子処置

BASE端子とFB4端子の各端子の近傍に10kΩ抵抗を配置し、 VINにプル・アップする事を推奨します。 主な目的は、デバイスの動作開始時や動作終了時に各端子に大電流が流れる事を防ぐためです。 さらに、VINのノイズの影響を軽減する狙いもあります。 ただし、プル・アップ抵抗の位置が端子から遠い... 詳細表示

【TI：電源IC】 TPS7B86-Q1 PG端子の内部プルアップの有無

下図のように、PG端子はオープン・ドレイン出力です。 データシート・リビジョンによっては、内部プルアップされているという記述がありますが、誤記ですので注意してください。 以下のE2E記事も参照してください。 TPS7B86-Q1: Internal pull-up resisto... 詳細表示

【TI：電源IC】 LMR336x0-Q1 と LMR336x0AP-Q1 の相違点

LMR336x0-Q1は後工程の工場は1箇所ですが、 LMR336x0AP-Q1は2箇所になっています。 そのため、VQFNパッケージのウェッタブル・フランクの形状がLMR336x0-Q1は1種類ですが、LMR336x0AP-Q1は2種類になっています。 LMR336x0-Q1 ... 詳細表示

【TI：電源IC】 TPS92515x IADJ端子に接続する分圧用抵抗値

十分な出力電流精度を実現するためには、IADJ端子のリーク電流の100倍以上の電流を分圧抵抗に流す必要があります。 IADJ端子は入力インピーダンスが非常に高い端子であり、リーク電流は非常に小さいと推定されます。 分圧抵抗の合計値を仮に150kΩとすると、VCC=5Vのため、分圧抵抗に流れる電流値は、... 詳細表示

【TI：電源IC】 TPS3840-Q1 データシートの Revision A から B への更新履歴について

ご指摘の変更内容は、Original から Revision A にかけての変更点です。 本来であれば、Revision A 発行時に更新履歴に記載されるべきですが、記載漏れのため、Revision B 発行時に後追いで記載されました。 Revision A から Revision B に... 詳細表示

【TI：電源IC】 UCC27288 外部ブートストラップダイオードを使用するメリットについて

外部ブートストラップダイオードを使用できることによって有益なアプリケーション条件がいくつかあります。 モータードライブなどの低周波アプリケーションでは、大きな値のブートストラップ静電容量が必要です。 外部ブートストラップダイオードを使用する事になって、より高い電流/時間容量を持つ部品を柔軟に使用できます。... 詳細表示