ゆっくり変化する入力電圧は電源からグランドへ大量の電流を誘導する為、CMOS入力に大きな打撃を与えます。

この現象は貫通電流と言われます。
デバイスの内部電源ノードは集積回路全体の電圧リファレンスとして使用されるため、誘導電圧スパイク（VGND）は

信号が内部ゲート構造に影響を与えることがあります。
ゆっくり立ち上がる入力エッジの場合、GNDの電圧の変化が大きいとVIは閾値を超えてドライブされたように見え、

出力は逆方向に切り替わり始めます。 Vtのスレッシュあたりで電流が増加します。
大きな過渡負荷電流ですべての出力を同時にスイッチングする様な最悪条件が発生すると、

スロー入力エッジがスレッショルドを介して繰り返し駆動され、出力が発振します。

 

 

下記FAQも併せて確認してください。
貫通電流とは