スイッチング特性が速いMOSFET（tr=数ns程度）をLowサイド用いると、

軽負荷時に大きなアンダーシュートがスイッチング・ノードに発生し、

BOOT端子のSW端子に対する絶対最大定格の8Vを超えてしまう可能性があります。

 

対策を記します。

・LowサイドMOSFETはスイッチング特性の遅い（tr=20ns程度）MOSFETとする
・LDRV信号に直列抵抗（4.7～10Ω程度）を挿入し、LowサイドMOSFETのスイッチング速度を低下させる
・外部ショットキー・ダイオードに直列抵抗（4.7Ω程度）を挿入し、RC時定数を増強する
・HighサイドMOSFETにRCスナバを挿入し、スイッチング信号のリンギングを低減させる

 

 

 

データシートの「Gate Drivers」項に詳細が記載されていますので、確認してください。